PMWD26UN,518 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  PMWD26UN,518
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PMWD26UN,518 Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 7.8A Drain To Source Voltage (vdss): 20V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: 2 N-Channel (Dual) Gate Charge (qg) @ Vgs: 23.6nC @ 4.5V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 1366pF @ 16V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP Power - Max: 3.1W Rds On (max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V Series: TrenchMOS?„? Vgs(th) (max) @ Id: 700mV @ 1mA Other Names: 568-2363-2, 934057597518, PMWD26UN /T3
• Количество страниц
  12 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  92,40 KB

PMWD26UN,518 datasheet скачать

PMWD26UN,518 datasheet